Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 500V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 8A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 125W
Mosfet IRF840 là mosfet kênh N hay mosfet ngược
Mosfet IRF840 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF840 có công suất là 125W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.